來源：IT之家
IT之家 2 月 1 日消息,，據(jù)彭博社報道，知情人士透露,，三星電子公司已獲得批準向英偉達供應(yīng)其高帶寬存儲芯片,，這家韓國芯片制造商的 8 層 HBM3E 于 12 月獲批。
雖然該批準標志著三星向前邁進了一步,，但它在高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)方面仍然落后于 SK 海力士和美光科技等競爭對手,。SK 海力士仍然是英偉達最先進的 AI 芯片的獨家供應(yīng)商，尤其是即將推出的 Blackwell 系列中采用 12 層 HBM3E 芯片的芯片,。
IT之家注意到,，去年 12 月有報道稱，三星電子由于 8 層,、12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存樣品性能未達英偉達要求,，難以在年內(nèi)（2024 年）正式啟動向這家大客戶的供應(yīng)，實際供貨將落到 2025 年,。
據(jù)悉,，三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達供應(yīng) HBM3E 內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品，但此前一年多的時間內(nèi)三星 HBM3E 的認證流程并未取得明顯進展,。
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